徐儒，男，南京大学博士/博士后。目前在南京信息工程大学集成电路学院微电子系从事教学科研工作。主要从事氮化物半导体固体电子学与功率电子器件、氮化物半导体照明和光电探测器件研究，特别在优化GaN肖特基二极管（包括横向和准垂直结构）的器件结构及制备方面取得了一系列的开创性成果，目前在Small，IEEE Electron Device Letters等期刊发表论文多篇，主持及参与纵向科研项目多项。

项目：

1. 江苏省自然科学基金青年项目，2024-2027，主持；

2. 中国博士后科学基金第73批面上项目，2023-2024，主持；

3. 江苏省双创博士计划，2022-2024，主持；

4. 江苏省光电信息功能材料重点实验室开放课题，2023-2024，主持；

5. 校人才启动经费，2021-2024，主持；

6. 国家重点研发计划，2022YFE0122700，2023-2024，参与；

7. 国家自然科学基金面上项目，12074182，2021-2024，参与。

部分代表性SCI论文如下：

[1] Ruihao Zhang, Fayu Wan, Ru Xu*, et.al, Research on RF performance of GaN HEMT with graded Al composition AlGaN back-barrier, Micro and Nanostructures, 2025, 197: 208028 1-8.

[2] Ru Xu, Peng Chen*, et.al ,  A lateral AlGaN/GaN Schottky barrier diode with 0.36-V turn-on voltage and 10-kV breakdown voltage by using double-barrier anode structure, Chip, 2024, 3(1)-100079:1-8.

[3] Ru Xu, Peng Chen*, et.al ,  High Power Figure‐of‐Merit, 10.6‐kV AlGaN/GaN Lateral  Schottky Barrier Diode with Single Channel and Sub‐100‐μm Anode‐to‐Cathode Spacing, Small, 2022, 18(37): 2270199. (影响因子13.3，Back Cover Paper)

[4] Ru Xu, Peng Chen*, et.al , 3.4-kV AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode on Silicon Substrate With Engineered Anode Structure, IEEE Electron Device Letters, 2021, 42(2): 208-211. (微电子器件领域旗舰期刊)

[5] Ru Xu, Peng Chen*, et.al , 2.7-kV AlGaN/GaN Schottky barrier diode on silicon substrate with recessed-anode structure, Solid-State Electronics, 2021, 175: 0-107953. 

[6] Ru Xu, Peng Chen*, et.al  1.4-kV Quasi-Vertical  GaN Schottky Barrier Diode With Reverse p-n Junction Termination, IEEE Journal of the Electron Devices Society, 2020, 8(1): 316-320.

[7] Yimeng Li, Peng Chen,* Xiufang Chen,* Ru Xu, et.al., “High-Responsivity Graphene/4H-SiC Ultraviolet Photodetector Based on a Planar Junction Formed by the Dual Modulation of Electric and Light Fields”, Advanced Optical Materials, 2000559, 2020; 

教学工作：

本科生课程：《数字IC验证方法学》、《FPGA逻辑设计与验证》、《嵌入式系统》

硕士招生：

欢迎报考研究生，邮箱：xuru@nuist.edu.cn