赵见国Associate professor
赵见国，男，山东莒县人，硕士生导师，东南大学物理电子学博士、南京大学博士后。 研究实现“半导体—芯片—应用系统”闭环，涉及第三/四代宽禁带半导体及相关发光/光电子器件、射频/功率器件和嵌入式硬件系统，包括深紫外/日盲光电探测器、紫外/高品质白光LED、InGaN基Micro-LED显示和可见光通信等，毕业生多去往半导体/芯片龙头企业。累计在光学、物理类顶级期刊发表SCI论文30余篇，被引用200余次，获得授权的国家发明...details>
Associate professor
Supervisor of Master's Candidates
School/Department:电子与信息工程学院
PostalAddress:
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Research Direction
[1]紫外、日盲探测器（第三代半导体AlGaN基、Ga2O3基）
[2]嵌入式仪表系统软硬件研发
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Social Affiliations
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Education Experience
山东理工大学 | 光信息科学与技术 | 理学学士 | University graduated
东南大学 | 物理电子学 | 工学博士 | With Certificate of Graduation for Doctorate Study
南京大学 | 物理电子学 博士后（合作导师：刘斌教授）
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Work Experience
2019/12-2023/12电子与信息工程学院 | 南京大学 | 博士后（合作导师：刘斌教授 长江学者）
- 1.Easy-peeling growth of triangular hBN flakes and their demonstration in vacuum ultraviolet photodetector
- 2.氧化镓的低温MOCVD生长与日盲探测器的研究.光学学报
- 3.Jianguo Zhao(*), Rui Yin, et al., "High performance solar blind photodetector based on (010)-plane β-Ga2O3 thermally oxidized from nonpolar (110)-plane GaN". ACS Applied Materials & Interfaces, 2024, 16 (16): 20794−20802，T1、中科院二区SCI期刊，IF：9.5
- 4.Kai Chen, Jianguo Zhao(*), et al., "Effects of Mg-doping temperature on structural and electrical properties of nonpolar a-plane p-type GaN films". Chinese Physics B, 2024, 33(1): 016801，T3、中科院四区SCI期刊，IF：1.7
- 5.赵见国(*), 殷瑞等, "极性、半极性和非极性InN薄膜的MOCVD外延生长与表征". 发光学报, 2024, 45(2): 204-210，EI、中文核心期刊
- 6.赵见国(*), 索博研等, "荧光粉配比和激发波长对高品质白光LED的影响". 发光学报, 2024, 45(1): 103-110，EI、中文核心期刊
Team Member
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