刘向
146
开通时间:..
最后更新时间:..
点击次数:
所属单位:电子与信息工程学院
发表刊物:Materials Letters
项目来源:国家自然科学基金项目
备注:文献类型:Article; Proceedings Paper
第一作者:刘向
论文编号:36263
卷号:228
期号:-
页面范围:451-455
是否译文:否
上一条:Infrared phototransistor induced by MoS2 quantum dots encapsulated in lead iodide perovskite
下一条: Photo-modulated thin film transistor based on dynamic charge transfer within quantum-dots-InGaZnO interface