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Multifunctional Half-Floating-Gate Field-Effect Transistor Based on MoS2−BN−Graphene van der Waals Heterostructures

发布时间：2026-05-20点击次数：

  • DOI码：10.1021/acs.nanolett.1c04737
  • 发表刊物：Nano Letters
  • 论文类型：期刊论文
  • 文献类型：J
  • 卷号：22
  • 页面范围：2328−2333
  • 是否译文：否
  • 发表时间：2022-03-07
  • 收录刊物：SCI

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严仲

个人信息

  • 教师姓名： 严仲
  • 性别： 男
  • 电子邮箱：
  • 入职时间： 2023-10-10
  • 所在单位： 集成电路学院
  • 办公地点：临江楼A709
  • 学历： 博士研究生毕业
  • 学位：工学博士学位
  • 在职信息： 在岗
  • 职称： 副教授
  • 毕业院校：美国加利福尼亚大学河滨分校
  • 学科：微电子学与固体电子学

其他联系方式

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  • 邮箱:

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    • 2019 南京信息工程大学·网络信息中心 NUIST备80008