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张辉

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Probing resistive switching in HfO2/Al2O3 bilayer oxides using in-situ transmission electron microscopy

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发表刊物：Applied Materials Today

文献类型：J

卷号：31

页面范围：101739

是否译文：否

发表时间：2023-01-19

收录刊物：SCI

上一条：Tailoring the phase transition of silver selenide at the atomistic scale