南京信息工程大学主页平台管理系统赵见国--中文主页-- 发明授权：张雄赵见国崔一平，一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，ZL201810004329.3

赵见国

副教授

硕士生导师

毕业院校：东南大学

联系方式：zhaojg@nuist.edu.cn

办公地点：临江楼A707

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发明授权：张雄赵见国崔一平，一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，ZL201810004329.3

发布时间：2024-11-18 点击次数：

是否职务专利：否

上一条：发明授权：张雄陈帅赵见国崔一平，一种非极性图形化AlN/蓝宝石复合衬底及其制备方法，ZL201811324994.7

下一条：发明授权：张雄赵见国崔一平，一种GaN基绝缘栅双极型晶体管及其加工方法，ZL201810776006.6

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