余彬, 博士, 硕士生导师。2021年6月毕业于南京航空航天大学,  获电力电子与电力传动博士学位。2021年9月任南京信息工程大学讲师, 2023年4月至2025年4月在浙江大学从事博士后研究。主讲《电力传动与控制》、《电力电子装置及系统》、《工业电子》等课程。主要研究方向为固态断路器（固态功率控制器）与固态保护技术、功率半导体器件可靠性与电力电子应用、AI算法与智能诊断技术。主持了中国博士后科学基金、江苏省自然科学基金、江苏省高等学校自然科学研究面上项目、江苏省智能电网技术与装备重点实验室开放基金、电子制造与封装集成湖北省重点实验室开放基金、南京信息工程大学引进人才科研启动项目等多项国家级、省部级项目，参与了国家自然科学基金项目、航空航天企业及研究院资助类科技攻关项目等多项。在国内外权威期刊 (IEEE Trans. Power Electron., IEEE J. Emerg. Sel. Topics Power Electron.)、国际知名学术会议发表SCI/EI检索学术论文20余篇, 申请及授权国家发明专利10余项。担任IEEE TPEL、IEEE TIE、IEEE JESTPE、IET PE等期刊审稿人。在中国电力电子与能量转换大会暨展览会、中国电源学会、IEEE PELS SSPEL等学术会议担任分会场主持人。

科研项目：

[1]    中国博士后科学基金项目：航空直流固态控制器碳化硅器件老化状态在线表征方法研究，2023.12~2025.4, 结题, 主持；

[2]    江苏省基础研究计划自然科学基金-青年基金：直流固态断路器SiC MOSFET健康状态在线监测-诊断-预测方法研究, 2023.7~2026.6, 在研, 主持；

[3]    江苏省高等学校自然科学研究面上项目, 2023.7-2025.6, 在研, 主持；

[4]    江苏省智能电网技术与装备重点实验室开放基金：直流固态断路器碳化硅器件老化测试方法及失效机理研究, 2024.1~2024.12, 结题,主持；

[5]    电子制造与封装集成湖北省重点实验室开放基金项目：冲击性负荷下碳化硅器件失效机理研究, 2024.1~2024.12,结题,主持；

[6]    南京信息工程大学引进人才科研启动项目, 2022.4~2024.12, 结题, 主持；

[7]    国家自然科学基金-面上项目：大功率直流固态功率控制器高功率密度集成化关键技术研究, 2018.01~2021.12, 结题, 参与；

[8]    航空工业某公司科技攻关项目：大功率碳化硅集成模块结构及热优化设计, 2018.01~2019.12, 结题, 参与；

[9]    航空工业某公司科技攻关项目：基于SiC和GaN的新型直流固态功率控制器模块, 2017.01~2019.12, 结题, 参与；

[10]  企业科技攻关项目：高频高功率密度功率变换关键技术, 2017.02~2018.01, 结题, 参与。

代表性成果：

学术论文：

[1]   Bin Yu, Li Wang and Daniyal Ahmed. Drain–Source Voltage Clamp Circuit for Online Accurate ON-State Resistance Measurement of SiC MOSFETs in DC Solid-State Power Controller[J]. IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, vol. 8, no. 1, pp. 331-342, March 2020. （SCI二区, Top期刊）

[2]    Bin Yu, Li Wang. Online Accurate Measurement of Steady-Thermal Resistance of SiC MOSFETs for DC Solid-State Power Controller[J]. IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 36, no. 5, pp. 5006-5021, May 2021. （SCI一区, Top期刊）

[3]  Bin Yu, Li Wang . Real-time Extraction of SiC MOSFETs’ Degradation Features under Improved Accelerated Power Cycling Tests for DC-SSPC Application[J]. IEEE Transactions on Power Electronics, May 2023, 38(5): 6489-6503.（SCI一区, Top期刊）

[4] Bin Yu, Li Wang. Online Short-Term Aging Status Prediction of SiC MOSFETs for DC Solid-State Power Controller Using Adaptive Variable Time-Steps Metabolic Gray Model[J], IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 39, no. 10, pp. 12456-12469, Oct. 2024.（SCI一区,Top期刊）

[5] Bin Yu, Xingjian Shi, Ze Zhou, Enyao Xiang, Hongyi Gao, Haoze Luo, Wuhua Li. Case Temperature Waveform Similarity-Based Online Aging Monitoring for SiC MOSFETs of Accelerated Power Cycling Tests for DC-SSPCs[J], IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, vol. 13, no. 1, pp. 380-393, Feb. 2025.（SCI二区, Top期刊）

[6] Bin Yu, Xingjian Shi, Haoze Luo, Wenbo Wang, Zhiwen Chen, Min Zhang, Francesco Iannuzzo, Wuhua Li,Comparison of electro-thermal-mechanical stress in SiC MOSFETs under several short-circuit types[J], Microelectronics Reliability,vol. 168,115720, May 2025.(SCI, 器件可靠性领域知名期刊)

[7] Bin Yu, Xingjian Shi, Hongyi Gao, Haoze Luo, Wenbo Wang,  Francesco Iannuzzo, Wuhua Li. Stress comparison of several short-circuit types on SiC MOSFET packaging[C]//35th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2024), Parma, Italy, 2024.

[8]余彬. On-state Voltage Online Accurate Measurement of SiC MOSFETs in DC Solid State Power Controller, 2023 中国新能源车充电与驱动技术大会, 中国，杭州市，2023-10-13 至 2023-10-15.

[9] Ping Liu, Yongjie Liu, Qi Cao, Biao Xiao, Mingbin Tang, Chunming Tu, Bin Yu, Active gate driver for current overshoot suppression of SiC+Si hybrid switches with dynamic gate current regulation[J], Microelectronics Reliability, vol. 168,115689, May 2025.(SCI, 器件可靠性领域知名期刊)

[10]Xingjian Shi, Bin Yu, Qiang Wu, Dong Hai, Haoze Luo, Wuhua Li, Xiangning He. Thermal Network Modeling of Heat Dissipation Structure of Power Devices with PCM to Enhancing Short-Term Overload Capacity[C]// 2024 IEEE 10th International Power Electronics and Motion Control Conference (IPEMC2024-ECCE Asia), Chengdu, China, 2024, pp. 3759-3764.

[11] Hongyi Gao, Dong Hai, Fujun Zheng, Bin Yu, Yuhang Yang, Yuanye Xia, Haoze Luo, Wuhua Li, Xiangning He. Analysis and Experimental Evaluation of Short-Circuit Energy Variation with Split Inductance[C]// 2024 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE), Phoenix, AZ, USA, 2024, pp. 6871-6877.

[12] Shuoyu Ye, Yutin Jin, Bin Yu, Yu Chen, Haoze Luo, Chushan Li, Wuhua Li, Xiangning He. Junction Temperature and Current Perception of Silicon Thyristor Based on Electroluminescence Spectrum[C]//2024 IEEE 10th International Power Electronics and Motion Control Conference (IPEMC2024-ECCE Asia), Chengdu, China, 2024, pp. 2265-2270.

[13] Letian Xiang , Xingjian Shi , Fujun Zheng , Shengjie Luo , Zhong Chen , Lin Zhu ,Bin Yu, Haoze Luo . Junction Temperature Estimation of IGBT Based on Adaptive Kalman Filter[C]// 2024 CPSS & IEEE International Symposium on Energy Storage and Conversion (ISESC), Xi'an, China, 2024, pp. 212-217

[14]Shengjie Luo , Bo Yang, Yi Zhao, Letian Xiang , Xingjian Shi , Bin Yu , Haoze Luo , Wuhua Li . Junction Temperature Monitoring Method with Miller Plateau based on Principal Component Analysis and Artificial Neural Networks[C]// 2024 CPSS & IEEE International Symposium on Energy Storage and Conversion (ISESC), Xi'an, China, 2024, pp. 200-205.

[15] Letian Xiang, Hao Huang, Dong Hai, Shengjie Luo, Bin Yu, Haoze Luo, Wuhua Li. An Online On-State Voltage Measurement Circuit Based on Series Expansion of Depletion MOSFET[C]// 2024 CPSS & IEEE International Symposium on Energy Storage and Conversion (ISESC), Xi'an, China, 2024, pp. 697-701.

[16]Rongwei Zhang , Wenbo Wang, Xinlan Hou , Bin Yu, Lei Wang, Jingsong Yang, Jianguo Ying . A Novel and Simple Way of Characterizing Gate Oxide Reliability of SiC MOSFETs[C]//2023 20th China International Forum on Solid State Lighting and 2023 9th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors(SSLCHINA: IFWS), Xiamen, China, 2023, pp. 267-270.

[17] Luwei Zhuo, Hui Meng, Ze Zhou, Bin Yu，Haoze Luo，Zhen Xin. Dynamic Reverse Bias Test Circuit for SiC MOSFET with Adjustable dVds/dt[C]// 2024 IEEE 10th International Power Electronics and Motion Control Conference (IPEMC2024-ECCE Asia), Chengdu, China, 2024, pp. 3688-3693.

[18] 余彬,王莉,阮立刚.Y电容引起的手机充电器漏电研究[J]. 电源学报, 2019,17(01):128-135.  (高质量T3级期刊).

[19] 奕丽芳,王莉,黄瑞,钱叶彤,余彬.多路独立输出隔离直流电源的故障保护研究[J]. 电源学报, 2021, 19(05): 200-207.  (高质量T3级期刊).

[20] 左璐巍，辛振，蒙慧，周泽，余彬，罗皓泽. 动态高温反偏应力下的 SiC MOSFET测试平台及其退化机理研究[J]. 电源学报，2024, 22(3): 211-219. (高质量T3级期刊).

发明专利：

[1] 一种功率器件老化测试用纯硬件实现控制电路及控制方法[P]. 中国: ZL20221129584.2, 2023-09-22.(授权)

[2] 直流固态断路器的功率管老化测试装置及其测试方法[P] . 中国: ZL202211219636.6, 2023-12-01.(授权)

[3] 碳化硅功率器件的焊料层失效状态在线原位表征系统及方法[P]. 中国: ZL202211093704.9, 2023-12-01.(授权)

[4] 直流固态功率控制器的功率管导通电压的在线测量电路[P]. 中国: ZL202211093704.9, 2021-09-28.(授权)

[5] 控制电路及监测系统[P]. 中国: 2023116460983, 2023-12-01.(公开)

[6] 一种基于壳温的功率器件老化状态原位监测系统[P]. 中国: 2024100867744, 2024-04-19.(公开)

[7] 一种基于CIOHMM的闭环控制系统的故障诊断方法[P]. 中国: ZL202211491667.7, 2025-05-02.(授权)

[8] 基于双轴红外焦平面阵列的旋转弹丸姿态测量方法[P]. 中国: 2023103229257, 2023-07-14.(公开)

[9] 基于电流传感器新接法的SRM开关管短路故障诊断方法[P]. 中国: 2023100257861, 2023-04-07.(公开)

[10] 采用电流斜率监测的SRM开关管短路故障动态诊断方法[P]. 中国: 2023100262535, 2023-04-07.(公开)

学生指导：

[1] 2024年, 南京信息工程大学优秀本科毕业设计二等奖（学生：曹尚）

[2] 2024年, 南京信息工程大学优秀本科毕业设计二等奖（学生：闫旭东）

[3] 2023年, 南京信息工程大学优秀本科毕业设计二等奖（学生：李加龙）

[4] 陈旷达等, 2022年大学生创新创业训练计划项目, 结题

[5] 闫旭东等, 2022年大学生创新创业训练计划项目, 结题

[6] 2024年, 南京信息工程大学 “优秀班主任”

[7] 2023年, 南京信息工程大学 “优秀班主任”

研究生招生：

招生专业：电子信息、控制工程（专硕）

招生人数：1~3人/年

研究方向：固态断路器（固态功率控制器）与固态保护技术、功率半导体器件可靠性与电力电子应用、AI算法与智能诊断技术

课题组将为硕士研究生提供良好的科研环境与系统成长支持，并提供与高水平高校(浙江大学、东南大学、南京航空航天大学等)交流合作的机会，助力科研能力提升与职业发展。

欢迎感兴趣的同学邮件咨询！邮箱地址：yubin@nuist.edu.cn。