手机版
常用链接
- [11] 发明申请：杨旻荟 赵见国 王海潮 田澄睿，用于生长Ⅲ族氮化物的AlN复合衬底及制备方法，202211423695.5
- [12] 发明授权：赵见国 杨旻荟等，具有非对称周期结构的Ⅲ族氮化物复合衬底及其加工方法，ZL202110153096.5
- [13] 发明授权：常建华 陈思成 赵见国 陶治 李红旭，一种激光功率计结构，ZL202010601532.6
- [14] 发明授权：赵见国 刘向 潘江涌 李元元 倪海彬 常建华，一种高质量非极性AlGaN微纳复合结构及其加工方法，ZL201910461768.1
- [15] 发明授权：张雄 陈帅 赵见国 崔一平，一种非极性图形化AlN/蓝宝石复合衬底及其制备方法，ZL201811324994.7
- [16] 发明授权：张雄 赵见国 崔一平，一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，ZL201810004329.3
- [17] 发明授权：张雄 赵见国 崔一平，一种GaN基绝缘栅双极型晶体管及其加工方法，ZL201810776006.6
- [18] 发明授权：赵见国 孙智江 吴自力，一种微型发光二极管显示器结构及制作方法，ZL201610759300.7
- [19] 发明授权：赵见国 孙智江，一种偏振发光二极管芯片，ZL201610836776.6
- [20] 发明授权：张雄 赵见国 崔一平，一种以光子晶体作为入射窗的氮化镓基紫外探测器，ZL201510284031.9