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Jianguo Zhao(*), Rui Yin, et al., "High performance solar blind photodetector based on (010)-plane β-Ga2O3 thermally oxidized from nonpolar (110)-plane GaN". ACS Applied Materials & Interfaces, 2024, 16 (16): 20794−20802,T1、中科院二区SCI期刊,IF:9.5
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Kai Chen, Jianguo Zhao(*), et al., "Effects of Mg-doping temperature on structural and electrical properties of nonpolar a-plane p-type GaN films". Chinese Physics B, 2024, 33(1): 016801,T3、中科院四区SCI期刊,IF:1.7
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赵见国(*), 殷瑞等, "极性、半极性和非极性InN薄膜的MOCVD外延生长与表征". 发光学报, 2024, 45(2): 204-210,EI、中文核心期刊
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赵见国(*), 索博研等, "荧光粉配比和激发波长对高品质白光LED的影响". 发光学报, 2024, 45(1): 103-110,EI、中文核心期刊
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Jianguo Zhao(*), Haichao Wang, et al., "Rapid growth of 24 mm2 scale hexagonal boron nitride crystal within Ni-Cr solution". Journal of Materials Chemistry C, 2023, 11: 11851–11856,T1、中科院二区SCI期刊,IF:6.4
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[6]
Jianguo Zhao(*), Boyan Suo, et al., "Effects of Buffer Layer on Structural Properties of Nonpolar (11-20)-Plane GaN Film". Crystals, 2023, 13(7): 1145,T3、中科院三区SCI期刊,IF:2.7
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发明申请:赵见国 武志勇 张玉尧 徐儒 常建华,一种对称的GaN基HEMT结构及其制备方法,202411428321.1
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发明申请:赵见国 张玉尧 武志勇 徐儒 常建华,一种双出射方向的Micro-LED结构及其制备方法,202411428799.4
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[3]
发明申请:赵见国 张玉尧 武志勇 徐儒 常建华,一种GaN基微型LED显示单元及其制备方法,202411429129.4
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发明申请:赵见国 武志勇 张玉尧 徐儒 常建华,一种含驱动的Micro-LED结构及其制备方法,202411429192.8
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[5]
发明申请:赵见国 武志勇 张玉尧 徐儒 常建华,一种独立台面结构的非极性面Micro-LED及其制备方法,202411429289.9
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[6]
发明申请:赵见国 殷瑞 张玉尧 徐儒 常建华,(010)面β相III族氧化物复合结构及其制备方法,202410495572.5
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