赵见国Associate professor
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· Patents
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发明申请：赵见国 武志勇 张玉尧 徐儒 常建华，一种对称的GaN基HEMT结构及其制备方法，202411428321.1
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发明申请：赵见国 张玉尧 武志勇 徐儒 常建华，一种双出射方向的Micro-LED结构及其制备方法，202411428799.4
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发明申请：赵见国 张玉尧 武志勇 徐儒 常建华，一种GaN基微型LED显示单元及其制备方法，202411429129.4
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发明申请：赵见国 武志勇 张玉尧 徐儒 常建华，一种含驱动的Micro-LED结构及其制备方法，202411429192.8
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发明申请：赵见国 武志勇 张玉尧 徐儒 常建华，一种独立台面结构的非极性面Micro-LED及其制备方法，202411429289.9
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发明申请：赵见国 殷瑞 张玉尧 徐儒 常建华，(010)面β相III族氧化物复合结构及其制备方法，202410495572.5
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发明授权：张玉尧 赵见国 徐儒 刘向 潘江涌，一种FET氢气传感器及其制备方法，202410494694.2
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发明申请：赵见国 王海潮 徐儒 常建华，一种可调谐深紫外探测器及其制备方法，202410232243.1
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发明申请：赵见国 索博研 徐儒 常建华，一种单芯片结构的白光 LED 及其制备方法，202410141822.5
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发明申请：赵见国 索博研 徐儒 常建华，Pocket结构的Si/Ge异质结围栅隧穿场效应晶体管及其制备方法，202211018417.1
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发明申请：杨旻荟 赵见国 王海潮 田澄睿，用于生长Ⅲ族氮化物的AlN复合衬底及制备方法，202211423695.5
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发明授权：赵见国 杨旻荟等，具有非对称周期结构的Ⅲ族氮化物复合衬底及其加工方法，ZL202110153096.5